Properties of Semiconductor Materials
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Table 1322. Properties of semiconductor materials.

Formula /Symbol
Name Band gap at 0 K (eV) Band gap at 300 K (eV) Band gap depending on temp (eV), T (K) Band
Direct band gap at 300 K (eV)
Indirect band gap at 300 K (eV)
Electron affinity qχ (eV)
Density gm/cm3
Crystal Structure
Lattice constant (nm) Electron mobility at 300 K (cm2/V-s) Hole mobility at 300 K (cm2/V-s) εs0 Density of states electron effective mass Electron effective mass Longitudinal electron effective mass Transverse electron effective mass Hole effective mass Heavy hole effective mass Light hole effective mass Density of states hole effective mass Transport hole effective mass
AlAs
    2.17       2.17 3.50 3.76 zinc-blende 0.5661                        
AlGaAs     1.758                                        
AlxGa1-xAs
    1.42 - 2.16                                        
AlxGa1-xP     2.31 - 2.45                                        
AlN
    6.20     6.20     3.25 wurtzite a = 0.311
c = 0.498
                       
AlP
    2.45       2.45   2.40 zinc-blende 0.546                        
AlSb
    1.62       1.62   4.26 zinc-blende 0.613                        
BN
    7.5             zinc-blende 0.3615                        
BP
    6.00             zinc-blende 0.4538                        
C
  5.48 5.47   I   5.50   3.51 diamond 0.357 1800 1200 5.7   0.2         0.25    
Diamond
    5.47                                        
CdS
    2.43             zinc-blende 0.5832                        
CdS                   wurtzite a = 0.416
c = 0.6756
                       
CdSe
    1.70             zinc-blende 0.605                        
CdTe
    1.47     1.47     5.87 zinc-blende 0.648                        
GaAs
    1.42 GaAs   1.42 1.81 4.07 5.32 zinc-blende 0.5683       0.067 m0 0.067 m0       0.45 m0 0.08 m0 0.47 m0 0.34 m0
GaAs1-xPx
    1.42 - 2.31                                        
Ga1-xInxAs
    0.35 - 1.47                                        
Ga1-xInxSb
    0.17 - 0.70                                        
GaN
    3.44     3.44     6.09 wurtzite a = 0.317
c = 0.516
                       
GaP
    2.27       2.27   4.14 zinc-blende 0.545                        
GaSb
    0.67 - 0.75     0.67 - 0.75 0.80   5.61 zinc-blende 0.609                        
Ge
  0.74 0.66   I   0.66   5.32 diamond 0.566 3900 1900 16.0     1.64 0.082   0.28 0.04    
InAs
    0.36     0.36 1.21 4.90 5.67 zinc-blende 0.60584                        
InAsxSb1-x     0.17 - 0.35                                        
InN
    1.89     1.89     6.81 wurtzite a = 0.354
c = 0.570
                       
InP
    1.34     1.34 1.87 4.37 4.81 zinc-blende 0.5869                        
In0.53Ga0.47As
    0.717               0.5869                        
InSb
    0.16             zinc-blende 0.64794                        
PbO
                                             
PbS                   Rock salt 0.59362                        
PbTe                   Rock salt 0.6462                        
Si
  1.17 1.12 Si I   1.12 4.01 2.33 diamond 0.543 1500 450   1.08 m0 0.26 m0 0.98 0.19   0.49 m0 0.16 m0 0.55 m0 0.37 m0
SiC
    2.42 - 3.00       2.42 - 3.00   3.17 zinc-blende 0.436                        
SiC                   wurtzite a = 0.3086
c = 1.5117
                       
α-SiC   3.03 2.996   I             400 50 10.0   0.60     1.00        
Sn Grey tin 0.082     D         diamond 0.64892 1400 1200                    
ZnO
    3.44     3.44     5.67 wurtzite a = 0.325
c = 0.521
                       
ZnS
    3.60             zinc-blende 0.542                        
ZnS
                  wurtzite a = 0.382
c = 0.626
                       
m0: Electron mass which is 9.11 × 10−34 kg.
Schottky barrier heights: page1322.

 

 

 

 

 

 

 

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