Practical Electron Microscopy and Database

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Properties of Semiconductor Materials

The properties of non-semiconductor materials are listed in ICsAndMaterials/page0108. Table 1322 below lists the properties of semiconductor materials. Table 1322. Properties of semiconductor materials. (The properties are obtained at 25 °C if it is not specified) Formula /Symbol Name Band gap at 0 K (eV) Band gap at 300 K (eV) Melting Point (K) Dissociation Pressure (Atm) Young's Modulus (GPa)  Poisson's Ratio  Thermal expansion coefficient (10-6°C-1) Thermal Conductivity (W/m·K)  Heat Capacity at Constant Pressure (J/kg·K)  Band gap depending on temp (eV), T (K) Band Direct band gap at 300 K (eV) Indirect band gap at 300 K (eV) Electron affinity qχ (eV) Density gm/cm3 Crystal Structure Lattice constant (nm) Electron mobility at 300 K (cm2/V-s) Hole mobility at 300 K (cm2/V-s) εs/ε0 Density of states electron effective mass Electron effective mass Longitudinal electron effective mass Transverse electron effective mass Hole effective mass Heavy hole effective mass Light hole effective mass Density of states hole effective mass Transport hole effective mass AlAs     2.161 - 2.17 1870 1.4 5.2       2.17 3.50 3.76 zinc-blende 0.5661 280                       AlGaAs     1.758                                               AlxGa1-xAs     1.42 - 2.16                                               AlxGa1-xP     2.31 - 2.45                                               AlN     6.20     320 0.26 5.3  120 800     6.20     3.25 wurtzite a = 0.311 c = 0.498                         AlP     2.45             2.45   2.40 zinc-blende 0.546                         AlSb     1.601 - 1.62 1330 <10-3 3.7       1.62   4.26 zinc-blende 0.6136 900                       BN     7.5                   zinc-blende 0.3615                         BP     6.00                   zinc-blende 0.4538                         C   5.48 5.47         I   5.50   3.51 diamond 0.357 1800 1200 5.7   0.2         0.25     Diamond     5.47 4300   1.0               0.356 I800                       CdS     2.43     4.0     2.42       zinc-blende 0.5832 340                       CdS                         wurtzite a = 0.416 c = 0.6756                         CdSe     1.70                   zinc-blende 0.605                         CdTe     1.44 - 1.47 1365   5.0     1.47     5.87 zinc-blende 0.6477 700                       GaAs     1.42 1510 1 5.8   1.42 1.81 4.07 5.32 zinc-blende 5.653 - 0.5683 6500     0.067 m0 0.067 m0       0.45 m0 0.08 m0 0.47 m0 0.34 m0 GaAs1-xPx     1.42 - 2.31                                               Ga1-xInxAs     0.35 - 1.47                                               Ga1-xInxSb     0.17 - 0.70                                               GaN     3.44     295 0.23 3.2  130 490     3.44     6.09 wurtzite a = 0.317 c = 0.516                         GaP     2.241 - 2.27 1750 35 5.3       2.27   4.14 zinc-blende 0.5451 300                       GaSb     0.67 - 0.75 980 <10-3 6.9     0.67 - 0.75 0.80   5.61 zinc-blende 0.6095 5000                       Ge   0.74 0.66-0.681 1231   5.75   I   0.66   5.32 diamond 0.5657 3600-3900 1900 16.0     1.64 0.082   0.28 0.04     HgTe     0.15 943   1.9               0.646                         InAs     0.36 1215 0.3 4.5     0.36 1.21 4.90 5.67 zinc-blende 0.60584 30000                       InAsxSb1-x     0.17 - 0.35                                               InN     1.89           1.89     6.81 wurtzite a = 0.354 c = 0.570                         InP     1.34 1338 25 4.5     1.27 - 1.34 1.87 4.37 4.81 zinc-blende 0.5869 4500                       In0.53Ga0.47As     0.717                     0.5869                         InSb     0.16 796 <10-3 4.9     0.165       zinc-blende 0.64794 80000                       PbO                                                     PbS                         Rock salt 0.59362                         PbTe                         Rock salt 0.6462                         Si   1.17 1.121 1685   2.33 I   1.12 4.01 2.33 diamond 0.5431 1350-1500 450   1.08 m0 0.26 m0 0.98 0.19   0.49 m0 0.16 m0 0.55 m0 0.37 m0 SiC     2.42 - 3.00             2.42 - 3.00   3.17 zinc-blende 0.436                         SiC                         wurtzite a = 0.3086 c = 1.5117                         α-SiC   3.03 2.996         I             400 50 10.0   0.60     1.00         Sn Grey tin 0.082           D         diamond 0.64892 1400 1200                     ZnO     3.44           3.44     5.67 wurtzite a = 0.325 c = 0.521                         ZnS     3.54-3.60 3200   7.3             zinc-blende 0.542-0.5409 120                       ZnS                         wurtzite a = 0.382 c = 0.626                         ZnSe     2.58 1790   7.0               0.5669 530                       ZnTe     2.26 1568   8.2               0.6101 530                         m0: Electron mass which is 9.11 × 10−34 kg. Schottky barrier heights: page1322.