Properties of Semiconductor Materials
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Table 1322. Properties of semiconductor materials. (The properties are obtained at 25 °C if it is not specified)

Formula /Symbol
 Name Band gap at 0 K (eV) Band gap at 300 K (eV) Melting
Point (K) 		Dissociation Pressure (Atm) Thermal expansion coefficient (10-6°C-1) Band gap depending on temp (eV), T (K) Band
Direct band gap at 300 K (eV)
Indirect band gap at 300 K (eV)
 Electron affinity qχ (eV)
Density gm/cm3
Crystal Structure
 Lattice constant (nm) Electron mobility at 300 K (cm2/V-s) Hole mobility at 300 K (cm2/V-s) εs/ε0 Density of states electron effective mass Electron effective mass Longitudinal electron effective mass Transverse electron effective mass Hole effective mass Heavy hole effective mass Light hole effective mass Density of states hole effective mass Transport hole effective mass
AlAs
     2.161 - 2.17 1870 1.4 5.2       2.17 3.50 3.76 zinc-blende 0.5661 280                      
AlGaAs     1.758                                              
AlxGa1-xAs
    1.42 - 2.16                                              
AlxGa1-xP     2.31 - 2.45                                              
AlN
     6.20           6.20     3.25 wurtzite a = 0.311
c = 0.498		                        
AlP
     2.45             2.45   2.40 zinc-blende 0.546                        
AlSb
     1.601 - 1.62 1330 <10-3 3.7       1.62   4.26 zinc-blende 0.6136 900                      
BN
     7.5                   zinc-blende 0.3615                        
BP
     6.00                   zinc-blende 0.4538                        
C
   5.48 5.47         I   5.50   3.51 diamond 0.357 1800 1200 5.7   0.2         0.25    
Diamond
     5.47 4300   1.0               0.356 I800                      
CdS
     2.43     4.0     2.42       zinc-blende 0.5832 340                      
CdS                         wurtzite a = 0.416
c = 0.6756		                        
CdSe
     1.70                   zinc-blende 0.605                        
CdTe
     1.44 - 1.47 1365   5.0     1.47     5.87 zinc-blende 0.6477 700                      
GaAs
     1.42 1510 1 5.8 GaAs   1.42 1.81 4.07 5.32 zinc-blende 5.653 - 0.5683 6500     0.067 m0 0.067 m0       0.45 m0 0.08 m0 0.47 m0 0.34 m0
GaAs1-xPx
     1.42 - 2.31                                              
Ga1-xInxAs
     0.35 - 1.47                                              
Ga1-xInxSb
     0.17 - 0.70                                              
GaN
     3.44           3.44     6.09 wurtzite a = 0.317
c = 0.516		                        
GaP
     2.241 - 2.27 1750 35 5.3       2.27   4.14 zinc-blende 0.5451 300                      
GaSb
     0.67 - 0.75 980 <10-3 6.9     0.67 - 0.75 0.80   5.61 zinc-blende 0.6095 5000                      
Ge
   0.74 0.66-0.681 1231   5.75   I   0.66   5.32 diamond 0.5657 3600-3900 1900 16.0     1.64 0.082   0.28 0.04    
HgTe     0.15 943   1.9               0.646                        
InAs
     0.36 1215 0.3 4.5     0.36 1.21 4.90 5.67 zinc-blende 0.60584 30000                      
InAsxSb1-x     0.17 - 0.35                                              
InN
     1.89           1.89     6.81 wurtzite a = 0.354
c = 0.570		                        
InP
     1.34 1338 25 4.5     1.27 - 1.34 1.87 4.37 4.81 zinc-blende 0.5869 4500                      
In0.53Ga0.47As
     0.717                     0.5869                        
InSb
     0.16 796 <10-3 4.9     0.165       zinc-blende 0.64794 80000                      
PbO
                                                    
PbS                         Rock salt 0.59362                        
PbTe                         Rock salt 0.6462                        
  1.17 1.121 1685   2.33 Si I   1.12 4.01 2.33 diamond 0.5431 1350-1500 450   1.08 m0 0.26 m0 0.98 0.19   0.49 m0 0.16 m0 0.55 m0 0.37 m0
SiC
     2.42 - 3.00             2.42 - 3.00   3.17 zinc-blende 0.436                        
SiC                         wurtzite a = 0.3086
c = 1.5117		                        
α-SiC   3.03 2.996         I             400 50 10.0   0.60     1.00        
Sn Grey tin 0.082           D         diamond 0.64892 1400 1200                    
ZnO
     3.44           3.44     5.67 wurtzite a = 0.325
c = 0.521		                        
ZnS
     3.54-3.60 3200   7.3             zinc-blende 0.542-0.5409 120                      
ZnS                         wurtzite a = 0.382
c = 0.626		                        
ZnSe     2.58 1790   7.0               0.5669 530                      
ZnTe
     2.26 1568   8.2               0.6101 530                      
m0: Electron mass which is 9.11 × 10−34 kg.
Schottky barrier heights: page1322.

 

 

 

 

 

 

  

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